Substrats d'électronique de puissance, traversées RF, supports LED, composants sous vide, fixtures semi-conducteurs — l'électronique spécifie des céramiques pour gestion thermique, isolation diélectrique et précision dimensionnelle. Anderman fournit nitrure d'aluminium, alumine dense, nitrure de bore et quartz aux fabricants de substrats, packages et équipements de procédé.
Standard, mid-thermal-conductivity and high-thermal-conductivity AlN substrates from one supplier — sized from prototype coupons to full panel formats, with the tolerance and surface finish that AMB and DBC processing requires.
Dense alumina, AlN, BN and quartz machined and polished to electronics-package tolerances — typically ±10 µm on critical features, surface roughness to sub-micron Ra where polish matters.
Direct routes to metallised alumina, brazed metal-ceramic assemblies and DBC/AMB substrate manufacturing through partner network. We connect substrate to assembled component when you need that path.
L’AlN domine comme céramique substrat pour modules IGBT, MOSFET et SiC-puissance — conductivité thermique 170–220 W/m·K associée à un CTE proche du silicium, éliminant les défaillances par cyclage thermique qui affligeaient les substrats alumine. Anderman fournit les substrats AlN en céramique nue, métallisée, DBC ou AMB via fabrication partenaire. Pour modules basse puissance, l’alumine dense (96–99,5 %) reste la base économique.
L’alumine dense (EA995/EA999) est le standard pour traversées RF, fenêtres sous vide, résonateurs diélectriques micro-ondes et composants tube à onde progressive. L’AlN est spécifié pour substrats d’amplificateur RF haute puissance lorsque la dissipation thermique domine. Pour applications très haute fréquence ou très faible perte, quartz et céramiques spéciales étendent la gamme diélectrique.
AlN et alumine dense portent puces LED et submonts diode laser — AlN lorsque le flux thermique est élevé (LED haute brillance, barres laser), alumine lorsque le coût compte plus que la performance maximale. Le BN est spécifié pour fixtures VCSEL et croissance cristalline.
L’équipement de procédé semi-conducteur utilise alumine, AlN et quartz pour mandrins wafer, suscepteurs, diélectriques de mandrins électrostatiques, composants chambre plasma, nacelles d’évaporation et creusets de croissance cristalline. Le BN est le standard pour composants implantation d’ions et nacelles d’évaporation aluminium.
AlN lorsque la résistance thermique jonction-à-plaque gouverne (modules SiC, IGBT Si fort courant, modules puissance grand gap). Alumine (96 % pour coût, 99,5 % pour performance supérieure) lorsque le flux thermique est moindre ou le coût est la contrainte décidante. Envoyez puissance module, fréquence de commutation et Rth cible et nous spécifierons.
Oui — alumine (EA995/EA999) métallisée moly-manganèse suivie de couches nickel et brasure, produisant joints métal-céramique étanches au vide pour packages hermétiques, traversées sous vide et électronique haute fiabilité. Spécifier géométrie de package et alliage de brasure et nous routerons via le bon partenaire de finition.
Alumine dense avec résistivité de surface contrôlée ou AlN avec texture de surface conçue, selon la technologie de mandrin (Coulomb ou Johnsen-Rahbek). Parlez-nous tension, force de mandrin et type de wafer et nous alignerons la nuance avec le design.
Aucune FAQ ne correspond.
Indiquez-nous classe de module, type de package ou étape procédé. Nous spécifierons AlN, alumine, BN ou quartz à la bonne nuance, tolérance et finition — et router via partenaires métallisation, DBC, AMB ou polissage si nécessaire.
